引 言
在科创板上市必然要面对上市审核机构就核心技术（人员）的各种问询。本系列，选取其核心技术以商业秘密为主要保护形式（以下简称“核心技术秘密”或“技术秘密”）的拟上市企业，从技术秘密合规管理、技术秘密民事刑事风险防范，技术秘密（潜在）纠纷处理与企业独立持续经营能力的关系的视角，探讨科创板IPO企业涉核心技术秘密的信息披露、问询与答复等问题。
关键词：科创板技术秘密 软件源代码 募投项目
发行人IPO进展
甬矽电子（宁波）股份有限公司（以下简称“甬矽电子”、“发行人”或“公司”）是一家从事集成电路封装和测试方案开发、不同种类集成电路芯片的封装加工和成品测试服务，以及与集成电路封装和测试相关的配套服务的公司。上海证券交易所（以下简称“上交所”）于2021年6月23日受理公司上市申请，发行上市审核机构于2021年7月17日和9月13日分别提出两轮问询，公司于2021年9月1日和11月17日回复了问询问题。后上交所接到江苏长电科技股份有限公司（以下简称“长电科技”）对发行人的举报并于2021年11月29日出具了《举报信核查函》，发行人于2022年2月14日回复了长达168页的《举报信专项核查报告》。公司于2022年2月22日通过了上市委会议，并于3月11日提交注册申请。
发行人涉商业秘密案件及举报基本情况
举报人长电科技成立于1998年11月6日，系提供微系统集成封装测试一站式服务的集成电路封测企业。甬矽电子成立于2017年11月13日，主营业务包括集成电路封装和测试方案开发、不同种类集成电路芯片的封装加工和成品测试服务，以及与集成电路封装和测试相关的配套服务。公司拥有“高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、系统级封装产品（SiP）、扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）、微机电系统传感器（MEMS）等中高端先进封装技术，是长电科技、通富微电和华天科技以外的国内封测准第一梯队成员。
2021年11月19日，长电科技以侵害商业秘密为由向无锡市中级人民法院起诉甬矽电子及其副总经理徐林华、封装二厂厂长林汉斌、研发工程中心负责人/核心技术人员徐玉鹏、工艺研发处工程师/核心技术人员何正鸿、材料开发处研发部经理/核心技术人员李利和材料开发处处长/核心技术人员钟磊六名员工[1]，请求判令甬矽电子及相关人员立即停止侵犯其商业秘密的行为，判令甬矽电子及相关人员赔偿其因侵犯商业秘密所造成的损失6,632,479.77元。据媒体资料显示，长电科技于2022年2月向无锡中院提交申请，将赔偿金额由663万元增加至8271万元，并请求被告方连带赔偿其为制止侵权的合理开支50万元。截止本文发出之日，本案尚未开庭审理。
长电科技在发起前述诉讼的同时向上交所举报，认为甬矽电子与长电科技主营业务领域相同，其大量核心技术人员及高级管理人员是长电科技离职人员，该等人员存在违反与长电科技之间的法定保密、约定保密义务的情况，发行人存在通过招揽长电科技离职人员使用长电科技的技术成果、商业秘密并申请专利的情况，发行人的专利、核心技术来源和核心产品存在纠纷或潜在纠纷。甬矽电子在首轮问询回复中仅通过简单的核查对象签署承诺书的方式就作出相关人员“不存在违反原任职单位保密义务的情形，且其亦未曾被原任职单位主张违反保密义务，不存在相关纠纷”的结论，以公司成立之初产品较为简单即得出“研发周期相对较短，具有合理性”是极不严谨的。一旦甬矽电子商业秘密侵权成立，其需要承担的法律后果包括巨额赔偿、禁令和刑事责任等，必然会对其主营业务造成重大不利影响。甬矽电子研发人员中有9名从长电科技离职一年内的发明人在甬矽电子就职期间申请了4项专利，均涉及相应发明人在长电科技工作时的核心技术，前述行为属于未经长电科技许可披露商业秘密的侵权行为。甬矽电子主动撤回3项专利申请，恰恰说明其自认无权将相关技术方案申请专利。甬矽电子已获授的1项实用新型专利的发明人在长电科技期间从事与该领域相关或相近的工序，该项专利涉嫌侵犯长电科技的商业秘密。
涉商业秘密举报的核查要求及答复[2]
1. 核查要求
请发行人律师对举报问题和下列事项进行核查并发表明确核查意见，说明核查内容、核查手段、核查过程和核查结论：（1）上述举报事项是否属实，认定不属实的理由、依据及实际情况；（2）如属实，相关事项的具体情况，申报材料是否存在应披露未披露事项，发行人信息披露是否真实、准确、完整，是否存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏；（3）充分说明举报信中涉及的纠纷基本情况、进展、发行人对相关诉讼主张是否成立的分析、若败诉可能给发行人带来的不利影响；（4）上述事项对发行人持续经营的影响，发行人是否符合《科创板首次公开发行股票注册管理办法(试行)》第十二条第(三)项的规定；（5)结合上述情形，说明上述举报事项是否对发行人本次发行上市构成实质性障碍。
2. 中介机构核查事项
针对长电科技举报信内容，保荐机构及发行人律师详细核查了公司的以下信息：（1）主要生产设施的形成过程；（2）主要产品的研发过程；（3）生产过程所涉及的知识产权和技术秘密的形成过程；（4）主要客户的取得和导入过程；（5）公司产品与长电科技在具体实现工艺及内部微观结构上存在的差异。
3. 答复
1）发行人主要产品研发和生产过程所涉及的知识产权和技术秘密均系自主取得，不存在侵犯长电科技知识产权或技术秘密的情形
（1）报告期内，发行人业务环节涉及的技术秘密主要体现在封装结构、封装工艺、封装材料的研发，以及生产过程中所采用的技术路线、具体使用的原材料及设备参数等环节，相关基础要素、研发环节、生产环节及其是否涉及商业秘密的情况下表所示。发行人基于行业通识的基础上，对生产工艺进行持续创新，形成了发行人的独特竞争工艺即“know-how”，定制类原材料的设计方案均为发行人自主开发，设备的具体参数设置通过DOE（Design of Experiments试验设计) 验证自主取得，不存在侵犯长电科技商业秘密的情形：
（2）发行人借助现有厂房及与燕东微电子的合作完成了初始生产线的搭建，大大缩减了量产周期;厂房、设备、软件等生产环节基础设施的构建均系发行人自主完成。发行人使用的厂房是在现有厂房的基础上进行了自主布局，生产用的设备均系在通用设备基础上独立选型完成的，使用的生产软件与长电科技存在显著差异，且进行了定制开发，不存在使用或侵犯他人商业秘密或技术秘密的情形。发行人在回复中披露了报告期内的厂房建设过程、投资情况、厂房选址及外购过程、主要生产设备的发展过程和选型情况、关键软件系统的定制化开发情况等数据；
（3）发行人自设立以来的主要产品及相关技术均系在公共知识的基础上自主研发取得，产品演进和技术研发过程清晰可溯。发行人拥有完整的产品、工艺和材料设计团队，能自主进行FC-LGA、QFN、WB-BGA、WB-LGA、MEMS、Hybrid-BGA、Hybrid-LGA、FC-CSP等全部量产封装类型的产品电性能、封装工艺和封装结构设计。截止回复出具日，发行人累计形成了超过7000份封装产品设计图纸，相关图纸能充分证明发行人产品的自主设计过程和技术演进过程。发行人披露了从公司设立至今的产品导入和技术发展过程、在封装结构和封装工艺方面进行的研发改良情况和各主要封装类型技术研发过程（研发姓名名称、研发开始和结束时间、研发费用和参与人员数量），认为其核心技术系以行业公共技术为基石，结合高度定制化的客户需求进行的研发改良；
（4）发行人2018年初部分研发项目开始时间早于设备到厂时间的原因。主要系发行人产品在实际进行工程试验或验证前，需要研发人员针对性的进行公开市场调研、技术路线分析及具体的产品设计所致。虽然部分研发项目的开始时间早于设备到厂时间，但在研发过程中完成了设备下单，项目结束时间均晚于设备的到厂时间，符合发行人的业务发展实际情况；
（5）首轮回复中以公司成立之初产品较为简单得出“研发周期相对较短，具有合理性”符合实际情况。保荐机构和发行人律师于2021年10月9日上午（举报前）对中国半导体协会封装分会相关工作人员进行了访谈。经访谈确认，集成电路封测行业不同研发活动的平均研发周期在6-11个月不等。报告期内，发行人各类封装形式的平均研发周期约为 8-11个月；发行人成立之初，WB-BGA 及 FC-LGA产品首次研发立项至量产周期分别为5-6个月，上述研发周期均符合集成电路封测行业研发周期惯例。长电科技举报内容不属实；
（6）发行人生产过程中所采用的工艺流程、具体使用的主要原材料(客供除外)及设备参数等均系发行人自主开发或取得。发行人生产过程中所采用的工艺流程是在行业通识的基础上形成并进行了创新。发行人生产过程中使用的主要原材料如基板、引线框架等均为自主设计，部分材料率先实现了国产化突破。发行人各生产环节使用的参数均为自主取得。工艺参数验证过程会形成《试验设计报告》(DOE，Design of Experiments)并进行归档备查。报告期内，发行人主要客户的产品导入过程均保存了完整的 DOE 报告，主要工艺参数均系发行人自主取得，具有独特性。DOE 报告可体现其生产环节主要技术秘密(生产过程中的工艺参数)的详细形成过程，能较为充分的证明发行人工艺参数是通过自主试验取得的，不存在使用、侵犯其他方技术秘密的情形。中介机构抽查了发行人报告期各期主营业务收入超过500万客户的DOE报告， 抽查DOE报告客户主营业务收入占报告期各期主营业务收入的比例分别为79.75%、86.96%、85.68%和 86.87%；
（7）发行人产品与长电科技在具体实现工艺及内部微观结构上存在差异。基于集成电路封测行业的技术特点，由于不同封测企业的设备选型、生产软件和工艺路线所使用的封装材料不同，客户委托封装的产品型号不同，因此封装企业必须根据客户要求并结合自身生产要素进行独立的工艺设计，从而使得封装产品存在差异。封装行业积累的公共知识仅为基础，各封装测试企业需要根据客户的具体需求进行针对性研发，从而形成自身的技术积累，形成各自的知识产权或商业秘密。发行人核心团队在原单位任职期间并未涉及部分产品的研发及量产工作，相关产品系发行人自主研发形成。发行人部分产品类型与长电科技存在重合系行业特点，但相关具体产品均为发行人基于行业通识的基础上自主研发取得，生产过程与最终产品与长电科技存在差异，不存在侵犯长电科技技术秘密的情形；
（8）发行人具备独立自主的持续研发能力。发行人具备完整的研发体系和研发人员。发行人具备独立的产品开发能力和技术开发能力，并形成了较为丰富的研发成果。发行人具备独立的客户导入能力；
（9）离职员工合理利用其掌握的知识、技能和经验并不侵犯原任职单位的商业秘密，且发行人通过自主研发形成的工艺、参数，不属于侵犯商业秘密行为。
综上所述，发行人借助现有厂房及与燕东微电子的合作完成了初始生产线的 搭建，大大缩减了量产周期；厂房、设备、软件等生产环节基础设施的构建均系发行人自主完成;发行人自设立以来的主要产品及相关技术均系在公共知识的基 础上自主研发取得，产品演进和技术研发过程清晰可溯；且由于集成电路封测行 业的特点，发行人产品生产过程与最终产品均与长电科技存在差异，发行人生产 过程中所采用的工艺流程、具体使用的主要原材料(客供除外)及设备参数等均 系发行人自主开发或取得;根据相关法律规定，通过自行开发研制获得被诉侵权 信息的，人民法院应当认定不属于反不正当竞争法第九条规定的侵犯商业秘密行为;经知识产权律师对比长电科技同发行人产品结构近似的专利56项进行了侵权比对，发行人产品不存在侵权行为。因此，发行人主要产品研发和生产过程所涉及的知识产权和技术秘密均系自主取得，不存在侵犯长电科技知识产权或技术秘密的情形，且长电科技未就发行人产品侵犯其技术秘密提出具体证据或任何权利主张，其举报内容不属实。
2）发行人部分核心技术人员及高级管理人员系长电科技离职人员，部分 人员存在保密义务，但不存在披露及使用其员工信息的情形
（1）发行人创始团队与核心团队中的大部分人员在入职长电科技前已具备丰富的行业经验、技能和资源；来自长电科技员工从人数占比上看逐年下降，且以流动性较大的低级别生产岗位员工为主;发行人具备独立的人员发展和培养 能力；
（2）发行人部分核心技术人员及高级管理人员系长电科技离职人员，部分人员存在保密义务，但该等人员不存在违反与长电科技之间的法定保密、约定保密义务的情况；发行人来自长电科技的 11 名员工曾签署或不确定是否签署过竞业限制协议，但该等员工未收到长电科技支付的竞业限制补偿金，无需承担竞业限制义务；发行人建立了较为完善的管理制度及相应措施，避免侵犯其他厂商的知识产权或商业秘密；
（3）三项撤回发明专利所涉及的技术均系发行人自主研发成果，且所公开的内容在被发行人公开前均已有同类公开信息且被公众所知悉，因此不构成长电科技的商业秘密，也不存在侵犯长电科技商业秘密和专利申请权的情形，已经获得授权的 1 项实用新型专利发明人虽有长电科技任职经历，但相关人员在长电 科技任职期间工作职责同该专利内容无关，曹文权作为第一发明人对该专利设计思路来源描述清晰、合理，该专利不属于职务发明，长电科技相关举报内容不属实。
3）长电科技提交的现有材料无法证明其所主张的相关信息为商业秘密，无法证明甬矽电子及相关人员侵权，发行人承担相应法律后果的可能性极低
长电科技未就其主张的公司侵害其技术秘密提供任何明确且有效的信息和依据，不具备认定侵害商业秘密的法律基础：长电科技在举报信中仅依据公司发展较快推定“公司极有可能依赖于不断挖走的长电科技前员工所知悉的技术或客户资源”，“另外甬矽电子的封装产品亦存在侵犯长电科技技术秘密的情形，产品存在潜在侵犯商业秘密纠纷”，未对其技术秘密的载体和具体内容提供任何明确且有效的依据，更无法论及其所谓的技术秘密是否符合法定要件，因此，不具备认定侵害技术秘密的法律基础。截止回复意见出具之日，长电科技的诉讼请求主要为判令甬矽电子及相关人员立即停止侵犯其商业秘密的行为及判令甬矽电子及相关人员赔偿其所因侵犯商业秘密所造成的损失6,632,479.77元，本案不存在适用惩罚性赔偿的空间。因此，即便发行人败诉，最高实际判决金额不会超过663.25万元，仅占发行人2021年1-6月净利润的6.17%。即使败诉亦不会对发行人主营业务造成重大不利影响。
4）上述事项不会对发行人本次发行上市构成实质性障碍
（1）长电科技在举报信及有关声明中所主张的侵犯商业秘密等事宜无具体的侵权事实和依据、无客观有效的证据支持，侵权推定亦缺乏必然性逻辑，并不成立，不因此构成与公司的主要资产、核心技术、商标等重大权属纠纷。举报信中，长电科技仅基于“公司存在较多长电科技离职人员”、“公司成立时间较短”、“存在较多重合客户”等公司在招股说明书等上市申请文件中披露的公示信息，即通过“极有可能”这种主观推测，声称公司存在侵犯其商业秘密的情形。一方面，长电科技未说明其被侵犯的商业秘密的内容、秘密点和行为方式等具体情形，无具体的侵权事实和依据，更未提供客观有效的证据支持；亦未说明公司产品侵犯其知识产权、公司拥有的知识产权存在权属纠纷的具体内容；另一方面，仅基于公司成立时间较短和员工中长电科技离职人员较多，无法必然得出公司侵犯长电科技商业秘密的结论，长电科技举报信中主张的结果与其提供的依据之间不具备逻辑因果关系。且保荐机构及发行人律师亦对公司成立至今的人员、技术和客户等经营要素的形成及发展进行了全面核查，发行人不存在侵犯长电科技商业秘密，从而导致主要资产和核心技术等存在重大权属风险的情形，不会因此产生重大偿债风险，故长电科技在举报信和声明中的主张不因此构成与发行人重大纠纷，从而导致主要资产和核心技术等存在重大权属纠纷的情形；
（2）长电科技提起的诉讼不属于权属纠纷，不会导致公司存在重大偿债风险，不属于重大担保、诉讼、仲裁等或有事项。
综上，上述事项不会对发行人本次发行上市构成实质性障碍。
涉技术秘密问题的分析与意见
1. 发行人使用的关键软件系统源代码真实性与合法性核查
由于发行人封装是在客户的晶圆上进行加工，不同客户的晶圆系该客户独有，封测过程中使用的基板、引线框架等具有定制化的特点且产品良率要求高，大规模生产依赖可靠、稳定的生产软件系统。公开披露的资料显示，发行人通过两大核心生产管理系统（MES系统、EAP系统）实现了从产品投单、产品生产、产品入库等生产流程的智能化和自动化管理。
MES系统（制造执行管理系统）于2018年8月上线，主要功能包括，投单管理（即生产订单的下达）、BOM管理（即某一产品的材料构成）、产品建模信息（即某一产品的结构信息）、流程信息管理（即）产品工步流转顺序信息）、模具管理（即设备使用的工具管理）、产品次品信息管理（即产品产生次品信息的记录）和标签管理（即材料需要使用的标签以及成品需要贴的标签打印）等。该系统的供应商是上海赛美特软件科技有限公司，最早接触人吴春悦为发行人质量总监，前任职单位为恩耐激光技术（上海）有限公司，于2018年1月加入发行人。
EAP系统（生产自动化系统）的供应商，是无锡芯享信息科技有限公司，于2020年1月始陆续上线到2021年10月全部上线。主要包括，设备程序信息管理（即每台设备运行的程序上传服务器后相关人员审核，审核后设备可以远程下载）、产品作业过程成品信息管理（即产品作业过程中设备上传作业记录的管理）、芯片图纸信息管理（即来料芯片的图纸转换成统一的格式）、设备作业参数及报警信息管理（即序对应的参数数值管控，如：要求3-5N，设备设置6N，设备无法开机）、产品设备作业自动出入转账管理（即作业产品完工后自动触发MES的流程信息结转）和设备日志信息管理（作业日志统一上传至服务器便于追踪查看）等。最早接触人邱元海是发行人系统信息处处长，前任职单位为长电科技，于2018年1月加入发行人。
基于上述事实可知，两大系统包括软件源代码。
软件源代码既是作品受《著作权法》保护，也是商业秘密受我国《反不正当竞争法》保护，为此应当核查如下事实而未见披露：
就源代码的归属问题，与无锡芯享信息科技有限公司、上海赛美特软件科技有限公司是如何约定的；
吴春悦参与开发MES系统的真实性，是否为职务作品，是否有侵犯恩耐激光技术（上海）有限公司著作权和软件源代码技术秘密的可能；
邱元海参与开发EAP系统的真实性，是否为职务作品，是否有侵犯长电科技的著作权和软件源代码技术秘密的可能等。
2. 发行人披露的募投项目是否存在侵犯第三方商业秘密的风险核查
公司披露的核心技术共7项（如下图），其中6项为封装技术，1项为测试技术。
公司共披露了2项募投项目：
（1）“高密度SiP射频模块封测项目”是公司在现有产品和技术的基础上，发挥公司在系统级封装（SiP）领域的技术优势，拟达到“通过购买先进生产设备，扩大生产规模，缓解产能瓶颈”的目标；
（2）“集成电路先进封装晶圆凸点产业化项目”旨在对工艺制程进行完善和升级，并引进全套晶圆“凸点工艺（Bumping）”生产线，完善倒装类封装产品制程，补全公司生产工艺短板，且该项目可为Fan-Out、WLCSP等拟开发的先进封装产品提供工艺支持。
基于募投项目披露信息及与长电科技的商业秘密侵权纠纷，笔者认为有必要就发行人募投项目是否涉及使用公司已有核心技术，是否存在侵犯长电科技或其他第三方的商业秘密进行核查并披露，以保护投资人的利益。
[1] 案号为（2022）苏 02 民初 29 号。
[2] 仅摘录与技术秘密相关的核查要求及答复。
在科创板上市必然要面对上市审核机构就核心技术（人员）的各种问询。本系列，选取其核心技术以商业秘密为主要保护形式（以下简称“核心技术秘密”或“技术秘密”）的拟上市企业，从技术秘密合规管理、技术秘密民事刑事风险防范，技术秘密（潜在）纠纷处理与企业独立持续经营能力的关系的视角，探讨科创板IPO企业涉核心技术秘密的信息披露、问询与答复等问题。
关键词：科创板技术秘密 软件源代码 募投项目
发行人IPO进展
甬矽电子（宁波）股份有限公司（以下简称“甬矽电子”、“发行人”或“公司”）是一家从事集成电路封装和测试方案开发、不同种类集成电路芯片的封装加工和成品测试服务，以及与集成电路封装和测试相关的配套服务的公司。上海证券交易所（以下简称“上交所”）于2021年6月23日受理公司上市申请，发行上市审核机构于2021年7月17日和9月13日分别提出两轮问询，公司于2021年9月1日和11月17日回复了问询问题。后上交所接到江苏长电科技股份有限公司（以下简称“长电科技”）对发行人的举报并于2021年11月29日出具了《举报信核查函》，发行人于2022年2月14日回复了长达168页的《举报信专项核查报告》。公司于2022年2月22日通过了上市委会议，并于3月11日提交注册申请。
发行人涉商业秘密案件及举报基本情况
举报人长电科技成立于1998年11月6日，系提供微系统集成封装测试一站式服务的集成电路封测企业。甬矽电子成立于2017年11月13日，主营业务包括集成电路封装和测试方案开发、不同种类集成电路芯片的封装加工和成品测试服务，以及与集成电路封装和测试相关的配套服务。公司拥有“高密度细间距凸点倒装产品（FC类产品）、系统级封装产品（SiP）、扁平无引脚封装产品（QFN/DFN）、微机电系统传感器（MEMS）等中高端先进封装技术，是长电科技、通富微电和华天科技以外的国内封测准第一梯队成员。
2021年11月19日，长电科技以侵害商业秘密为由向无锡市中级人民法院起诉甬矽电子及其副总经理徐林华、封装二厂厂长林汉斌、研发工程中心负责人/核心技术人员徐玉鹏、工艺研发处工程师/核心技术人员何正鸿、材料开发处研发部经理/核心技术人员李利和材料开发处处长/核心技术人员钟磊六名员工[1]，请求判令甬矽电子及相关人员立即停止侵犯其商业秘密的行为，判令甬矽电子及相关人员赔偿其因侵犯商业秘密所造成的损失6,632,479.77元。据媒体资料显示，长电科技于2022年2月向无锡中院提交申请，将赔偿金额由663万元增加至8271万元，并请求被告方连带赔偿其为制止侵权的合理开支50万元。截止本文发出之日，本案尚未开庭审理。
长电科技在发起前述诉讼的同时向上交所举报，认为甬矽电子与长电科技主营业务领域相同，其大量核心技术人员及高级管理人员是长电科技离职人员，该等人员存在违反与长电科技之间的法定保密、约定保密义务的情况，发行人存在通过招揽长电科技离职人员使用长电科技的技术成果、商业秘密并申请专利的情况，发行人的专利、核心技术来源和核心产品存在纠纷或潜在纠纷。甬矽电子在首轮问询回复中仅通过简单的核查对象签署承诺书的方式就作出相关人员“不存在违反原任职单位保密义务的情形，且其亦未曾被原任职单位主张违反保密义务，不存在相关纠纷”的结论，以公司成立之初产品较为简单即得出“研发周期相对较短，具有合理性”是极不严谨的。一旦甬矽电子商业秘密侵权成立，其需要承担的法律后果包括巨额赔偿、禁令和刑事责任等，必然会对其主营业务造成重大不利影响。甬矽电子研发人员中有9名从长电科技离职一年内的发明人在甬矽电子就职期间申请了4项专利，均涉及相应发明人在长电科技工作时的核心技术，前述行为属于未经长电科技许可披露商业秘密的侵权行为。甬矽电子主动撤回3项专利申请，恰恰说明其自认无权将相关技术方案申请专利。甬矽电子已获授的1项实用新型专利的发明人在长电科技期间从事与该领域相关或相近的工序，该项专利涉嫌侵犯长电科技的商业秘密。
涉商业秘密举报的核查要求及答复[2]
1. 核查要求
请发行人律师对举报问题和下列事项进行核查并发表明确核查意见，说明核查内容、核查手段、核查过程和核查结论：（1）上述举报事项是否属实，认定不属实的理由、依据及实际情况；（2）如属实，相关事项的具体情况，申报材料是否存在应披露未披露事项，发行人信息披露是否真实、准确、完整，是否存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏；（3）充分说明举报信中涉及的纠纷基本情况、进展、发行人对相关诉讼主张是否成立的分析、若败诉可能给发行人带来的不利影响；（4）上述事项对发行人持续经营的影响，发行人是否符合《科创板首次公开发行股票注册管理办法(试行)》第十二条第(三)项的规定；（5)结合上述情形，说明上述举报事项是否对发行人本次发行上市构成实质性障碍。
2. 中介机构核查事项
针对长电科技举报信内容，保荐机构及发行人律师详细核查了公司的以下信息：（1）主要生产设施的形成过程；（2）主要产品的研发过程；（3）生产过程所涉及的知识产权和技术秘密的形成过程；（4）主要客户的取得和导入过程；（5）公司产品与长电科技在具体实现工艺及内部微观结构上存在的差异。
3. 答复
1）发行人主要产品研发和生产过程所涉及的知识产权和技术秘密均系自主取得，不存在侵犯长电科技知识产权或技术秘密的情形
（1）报告期内，发行人业务环节涉及的技术秘密主要体现在封装结构、封装工艺、封装材料的研发，以及生产过程中所采用的技术路线、具体使用的原材料及设备参数等环节，相关基础要素、研发环节、生产环节及其是否涉及商业秘密的情况下表所示。发行人基于行业通识的基础上，对生产工艺进行持续创新，形成了发行人的独特竞争工艺即“know-how”，定制类原材料的设计方案均为发行人自主开发，设备的具体参数设置通过DOE（Design of Experiments试验设计) 验证自主取得，不存在侵犯长电科技商业秘密的情形：
类别 | 取得/形成方式 | 是否涉及商业秘密 | ||
生产基础设施的形成过程 | 厂房 | 外购 | 否 | |
设备 | 通用设备，外购 | 否 | ||
软件 | 外购及定制开发 | 定制开发部分涉及 | ||
技术研发 | 封装结构研发 | 行业公共知识+自主研发 | 自主研发部分涉及 | |
封装工艺研发 | 行业公共知识+自主研发 | 自主研发部分涉及 | ||
封装材料应用开发 | 行业公共知识+自主研发 | 自主研发部分涉及 | ||
生产过程中涉及的主要要素 | 生产产品涉及的工艺流程 | 行业通识及自主研发 | 自主开发部分涉及 | |
主要原材料 | 通用类材料（锡膏、导电胶、焊线等） | 外购 | 否 | |
定制类（基板/引线框架） | 自主设计+外购 | 是 | ||
生产设备使用的工艺参数 | 自主取得 | 是 | ||
（2）发行人借助现有厂房及与燕东微电子的合作完成了初始生产线的搭建，大大缩减了量产周期;厂房、设备、软件等生产环节基础设施的构建均系发行人自主完成。发行人使用的厂房是在现有厂房的基础上进行了自主布局，生产用的设备均系在通用设备基础上独立选型完成的，使用的生产软件与长电科技存在显著差异，且进行了定制开发，不存在使用或侵犯他人商业秘密或技术秘密的情形。发行人在回复中披露了报告期内的厂房建设过程、投资情况、厂房选址及外购过程、主要生产设备的发展过程和选型情况、关键软件系统的定制化开发情况等数据；
（3）发行人自设立以来的主要产品及相关技术均系在公共知识的基础上自主研发取得，产品演进和技术研发过程清晰可溯。发行人拥有完整的产品、工艺和材料设计团队，能自主进行FC-LGA、QFN、WB-BGA、WB-LGA、MEMS、Hybrid-BGA、Hybrid-LGA、FC-CSP等全部量产封装类型的产品电性能、封装工艺和封装结构设计。截止回复出具日，发行人累计形成了超过7000份封装产品设计图纸，相关图纸能充分证明发行人产品的自主设计过程和技术演进过程。发行人披露了从公司设立至今的产品导入和技术发展过程、在封装结构和封装工艺方面进行的研发改良情况和各主要封装类型技术研发过程（研发姓名名称、研发开始和结束时间、研发费用和参与人员数量），认为其核心技术系以行业公共技术为基石，结合高度定制化的客户需求进行的研发改良；
（4）发行人2018年初部分研发项目开始时间早于设备到厂时间的原因。主要系发行人产品在实际进行工程试验或验证前，需要研发人员针对性的进行公开市场调研、技术路线分析及具体的产品设计所致。虽然部分研发项目的开始时间早于设备到厂时间，但在研发过程中完成了设备下单，项目结束时间均晚于设备的到厂时间，符合发行人的业务发展实际情况；
（5）首轮回复中以公司成立之初产品较为简单得出“研发周期相对较短，具有合理性”符合实际情况。保荐机构和发行人律师于2021年10月9日上午（举报前）对中国半导体协会封装分会相关工作人员进行了访谈。经访谈确认，集成电路封测行业不同研发活动的平均研发周期在6-11个月不等。报告期内，发行人各类封装形式的平均研发周期约为 8-11个月；发行人成立之初，WB-BGA 及 FC-LGA产品首次研发立项至量产周期分别为5-6个月，上述研发周期均符合集成电路封测行业研发周期惯例。长电科技举报内容不属实；
（6）发行人生产过程中所采用的工艺流程、具体使用的主要原材料(客供除外)及设备参数等均系发行人自主开发或取得。发行人生产过程中所采用的工艺流程是在行业通识的基础上形成并进行了创新。发行人生产过程中使用的主要原材料如基板、引线框架等均为自主设计，部分材料率先实现了国产化突破。发行人各生产环节使用的参数均为自主取得。工艺参数验证过程会形成《试验设计报告》(DOE，Design of Experiments)并进行归档备查。报告期内，发行人主要客户的产品导入过程均保存了完整的 DOE 报告，主要工艺参数均系发行人自主取得，具有独特性。DOE 报告可体现其生产环节主要技术秘密(生产过程中的工艺参数)的详细形成过程，能较为充分的证明发行人工艺参数是通过自主试验取得的，不存在使用、侵犯其他方技术秘密的情形。中介机构抽查了发行人报告期各期主营业务收入超过500万客户的DOE报告， 抽查DOE报告客户主营业务收入占报告期各期主营业务收入的比例分别为79.75%、86.96%、85.68%和 86.87%；
（7）发行人产品与长电科技在具体实现工艺及内部微观结构上存在差异。基于集成电路封测行业的技术特点，由于不同封测企业的设备选型、生产软件和工艺路线所使用的封装材料不同，客户委托封装的产品型号不同，因此封装企业必须根据客户要求并结合自身生产要素进行独立的工艺设计，从而使得封装产品存在差异。封装行业积累的公共知识仅为基础，各封装测试企业需要根据客户的具体需求进行针对性研发，从而形成自身的技术积累，形成各自的知识产权或商业秘密。发行人核心团队在原单位任职期间并未涉及部分产品的研发及量产工作，相关产品系发行人自主研发形成。发行人部分产品类型与长电科技存在重合系行业特点，但相关具体产品均为发行人基于行业通识的基础上自主研发取得，生产过程与最终产品与长电科技存在差异，不存在侵犯长电科技技术秘密的情形；
（8）发行人具备独立自主的持续研发能力。发行人具备完整的研发体系和研发人员。发行人具备独立的产品开发能力和技术开发能力，并形成了较为丰富的研发成果。发行人具备独立的客户导入能力；
（9）离职员工合理利用其掌握的知识、技能和经验并不侵犯原任职单位的商业秘密，且发行人通过自主研发形成的工艺、参数，不属于侵犯商业秘密行为。
综上所述，发行人借助现有厂房及与燕东微电子的合作完成了初始生产线的 搭建，大大缩减了量产周期；厂房、设备、软件等生产环节基础设施的构建均系发行人自主完成;发行人自设立以来的主要产品及相关技术均系在公共知识的基 础上自主研发取得，产品演进和技术研发过程清晰可溯；且由于集成电路封测行 业的特点，发行人产品生产过程与最终产品均与长电科技存在差异，发行人生产 过程中所采用的工艺流程、具体使用的主要原材料(客供除外)及设备参数等均 系发行人自主开发或取得;根据相关法律规定，通过自行开发研制获得被诉侵权 信息的，人民法院应当认定不属于反不正当竞争法第九条规定的侵犯商业秘密行为;经知识产权律师对比长电科技同发行人产品结构近似的专利56项进行了侵权比对，发行人产品不存在侵权行为。因此，发行人主要产品研发和生产过程所涉及的知识产权和技术秘密均系自主取得，不存在侵犯长电科技知识产权或技术秘密的情形，且长电科技未就发行人产品侵犯其技术秘密提出具体证据或任何权利主张，其举报内容不属实。
2）发行人部分核心技术人员及高级管理人员系长电科技离职人员，部分 人员存在保密义务，但不存在披露及使用其员工信息的情形
（1）发行人创始团队与核心团队中的大部分人员在入职长电科技前已具备丰富的行业经验、技能和资源；来自长电科技员工从人数占比上看逐年下降，且以流动性较大的低级别生产岗位员工为主;发行人具备独立的人员发展和培养 能力；
（2）发行人部分核心技术人员及高级管理人员系长电科技离职人员，部分人员存在保密义务，但该等人员不存在违反与长电科技之间的法定保密、约定保密义务的情况；发行人来自长电科技的 11 名员工曾签署或不确定是否签署过竞业限制协议，但该等员工未收到长电科技支付的竞业限制补偿金，无需承担竞业限制义务；发行人建立了较为完善的管理制度及相应措施，避免侵犯其他厂商的知识产权或商业秘密；
（3）三项撤回发明专利所涉及的技术均系发行人自主研发成果，且所公开的内容在被发行人公开前均已有同类公开信息且被公众所知悉，因此不构成长电科技的商业秘密，也不存在侵犯长电科技商业秘密和专利申请权的情形，已经获得授权的 1 项实用新型专利发明人虽有长电科技任职经历，但相关人员在长电 科技任职期间工作职责同该专利内容无关，曹文权作为第一发明人对该专利设计思路来源描述清晰、合理，该专利不属于职务发明，长电科技相关举报内容不属实。
3）长电科技提交的现有材料无法证明其所主张的相关信息为商业秘密，无法证明甬矽电子及相关人员侵权，发行人承担相应法律后果的可能性极低
长电科技未就其主张的公司侵害其技术秘密提供任何明确且有效的信息和依据，不具备认定侵害商业秘密的法律基础：长电科技在举报信中仅依据公司发展较快推定“公司极有可能依赖于不断挖走的长电科技前员工所知悉的技术或客户资源”，“另外甬矽电子的封装产品亦存在侵犯长电科技技术秘密的情形，产品存在潜在侵犯商业秘密纠纷”，未对其技术秘密的载体和具体内容提供任何明确且有效的依据，更无法论及其所谓的技术秘密是否符合法定要件，因此，不具备认定侵害技术秘密的法律基础。截止回复意见出具之日，长电科技的诉讼请求主要为判令甬矽电子及相关人员立即停止侵犯其商业秘密的行为及判令甬矽电子及相关人员赔偿其所因侵犯商业秘密所造成的损失6,632,479.77元，本案不存在适用惩罚性赔偿的空间。因此，即便发行人败诉，最高实际判决金额不会超过663.25万元，仅占发行人2021年1-6月净利润的6.17%。即使败诉亦不会对发行人主营业务造成重大不利影响。
4）上述事项不会对发行人本次发行上市构成实质性障碍
（1）长电科技在举报信及有关声明中所主张的侵犯商业秘密等事宜无具体的侵权事实和依据、无客观有效的证据支持，侵权推定亦缺乏必然性逻辑，并不成立，不因此构成与公司的主要资产、核心技术、商标等重大权属纠纷。举报信中，长电科技仅基于“公司存在较多长电科技离职人员”、“公司成立时间较短”、“存在较多重合客户”等公司在招股说明书等上市申请文件中披露的公示信息，即通过“极有可能”这种主观推测，声称公司存在侵犯其商业秘密的情形。一方面，长电科技未说明其被侵犯的商业秘密的内容、秘密点和行为方式等具体情形，无具体的侵权事实和依据，更未提供客观有效的证据支持；亦未说明公司产品侵犯其知识产权、公司拥有的知识产权存在权属纠纷的具体内容；另一方面，仅基于公司成立时间较短和员工中长电科技离职人员较多，无法必然得出公司侵犯长电科技商业秘密的结论，长电科技举报信中主张的结果与其提供的依据之间不具备逻辑因果关系。且保荐机构及发行人律师亦对公司成立至今的人员、技术和客户等经营要素的形成及发展进行了全面核查，发行人不存在侵犯长电科技商业秘密，从而导致主要资产和核心技术等存在重大权属风险的情形，不会因此产生重大偿债风险，故长电科技在举报信和声明中的主张不因此构成与发行人重大纠纷，从而导致主要资产和核心技术等存在重大权属纠纷的情形；
（2）长电科技提起的诉讼不属于权属纠纷，不会导致公司存在重大偿债风险，不属于重大担保、诉讼、仲裁等或有事项。
综上，上述事项不会对发行人本次发行上市构成实质性障碍。
涉技术秘密问题的分析与意见
1. 发行人使用的关键软件系统源代码真实性与合法性核查
由于发行人封装是在客户的晶圆上进行加工，不同客户的晶圆系该客户独有，封测过程中使用的基板、引线框架等具有定制化的特点且产品良率要求高，大规模生产依赖可靠、稳定的生产软件系统。公开披露的资料显示，发行人通过两大核心生产管理系统（MES系统、EAP系统）实现了从产品投单、产品生产、产品入库等生产流程的智能化和自动化管理。
MES系统（制造执行管理系统）于2018年8月上线，主要功能包括，投单管理（即生产订单的下达）、BOM管理（即某一产品的材料构成）、产品建模信息（即某一产品的结构信息）、流程信息管理（即）产品工步流转顺序信息）、模具管理（即设备使用的工具管理）、产品次品信息管理（即产品产生次品信息的记录）和标签管理（即材料需要使用的标签以及成品需要贴的标签打印）等。该系统的供应商是上海赛美特软件科技有限公司，最早接触人吴春悦为发行人质量总监，前任职单位为恩耐激光技术（上海）有限公司，于2018年1月加入发行人。
EAP系统（生产自动化系统）的供应商，是无锡芯享信息科技有限公司，于2020年1月始陆续上线到2021年10月全部上线。主要包括，设备程序信息管理（即每台设备运行的程序上传服务器后相关人员审核，审核后设备可以远程下载）、产品作业过程成品信息管理（即产品作业过程中设备上传作业记录的管理）、芯片图纸信息管理（即来料芯片的图纸转换成统一的格式）、设备作业参数及报警信息管理（即序对应的参数数值管控，如：要求3-5N，设备设置6N，设备无法开机）、产品设备作业自动出入转账管理（即作业产品完工后自动触发MES的流程信息结转）和设备日志信息管理（作业日志统一上传至服务器便于追踪查看）等。最早接触人邱元海是发行人系统信息处处长，前任职单位为长电科技，于2018年1月加入发行人。
基于上述事实可知，两大系统包括软件源代码。
软件源代码既是作品受《著作权法》保护，也是商业秘密受我国《反不正当竞争法》保护，为此应当核查如下事实而未见披露：
就源代码的归属问题，与无锡芯享信息科技有限公司、上海赛美特软件科技有限公司是如何约定的；
吴春悦参与开发MES系统的真实性，是否为职务作品，是否有侵犯恩耐激光技术（上海）有限公司著作权和软件源代码技术秘密的可能；
邱元海参与开发EAP系统的真实性，是否为职务作品，是否有侵犯长电科技的著作权和软件源代码技术秘密的可能等。
2. 发行人披露的募投项目是否存在侵犯第三方商业秘密的风险核查
公司披露的核心技术共7项（如下图），其中6项为封装技术，1项为测试技术。
序号 | 核心技术名称 | 技术来源 | 目前状态 |
1 | 高密度细间距倒装凸点互联芯片封装技术 | 自主开发 | 量产阶段 |
2 | 应用于 4G/5G 通讯的射频芯片/模组封装技术 | 自主开发 | 量产阶段 |
3 | 混合系统级封装（Hybrid-SiP）技术 | 自主开发 | 量产阶段 |
4 | 多芯片(Multi-Chip)/高焊线数球栅阵列（WB-BGA） 封装技术 | 自主开发 | 量产阶段 |
5 | 基于引线框的高密度/大尺寸的 QFN封装技术 | 自主开发 | 量产阶段 |
6 | MEMS &光学传感器封装技术 | 自主开发 | 量产阶段 |
7 | 多应用领域先进 IC 测试技术 | 自主开发 | 量产阶段 |
公司共披露了2项募投项目：
（1）“高密度SiP射频模块封测项目”是公司在现有产品和技术的基础上，发挥公司在系统级封装（SiP）领域的技术优势，拟达到“通过购买先进生产设备，扩大生产规模，缓解产能瓶颈”的目标；
（2）“集成电路先进封装晶圆凸点产业化项目”旨在对工艺制程进行完善和升级，并引进全套晶圆“凸点工艺（Bumping）”生产线，完善倒装类封装产品制程，补全公司生产工艺短板，且该项目可为Fan-Out、WLCSP等拟开发的先进封装产品提供工艺支持。
基于募投项目披露信息及与长电科技的商业秘密侵权纠纷，笔者认为有必要就发行人募投项目是否涉及使用公司已有核心技术，是否存在侵犯长电科技或其他第三方的商业秘密进行核查并披露，以保护投资人的利益。
[1] 案号为（2022）苏 02 民初 29 号。
[2] 仅摘录与技术秘密相关的核查要求及答复。